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                                    內存條常識

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                                    一、看懂內存條

                                    我們平常所說的“內存”大都是指“內存條”。那么什么是“內存條”呢?常見的“內存條”又有哪些類型呢?

                                    1.內存條的誕生

                                    當CPU在工作時,需要從硬盤等外部存儲器上讀取數據,但由于硬盤這個“倉庫”太大,加上離CPU也很“遠”,運輸“原料”數據的速度就比較慢,導致CPU的生產效率大打折扣!為了解決這個問題,人們便在CPU與外部存儲器之間,建了一個“小倉庫”—內存。

                                    內存雖然容量不大,一般只有幾十MB到幾百MB,但中轉速度非?,如此一來,當CPU需要數據時,事先可以將部分數據存放在內存中,以解CPU的燃眉之急。由于內存只是一個“中轉倉庫”,因此它并不能用來長時間存儲數據。

                                    2.常見的內存條

                                    目前PC中所用的內存主要有SDRAM、DDR SDRAM、RDRAM等三種類型。

                                    曾經主流—SDRAM

                                    SDRAM(Synchronous DRAM)即“同步動態隨機存儲器”。SDRAM內存條的兩面都有金手指,是直接插在內存條插槽中的,因此這種結構也叫“雙列直插式”,英文名叫“DIMM”。目前絕大部分內存條都采用這種“DIMM”結構。

                                    隨著處理器前端總線的不斷提高,SDRAM已經無法滿足新型處理器的需要了,早已退出了主流市場。

                                    今日主流—DDR SDRAM

                                    DDR SDRAM(簡稱DDR)是采用了DDR(Double Data Rate SDRAM,雙倍數據速度)技術的SDRAM,與普通SDRAM相比,在同一時鐘周期內,DDR SDRAM能傳輸兩次數據,而SDRAM只能傳輸一次數據。

                                    從外形上看DDR內存條與SDRAM相比差別并不大,它們具有同樣的長度與同樣的引腳距離。只不過DDR內存條有184個引腳,金手指中也只有一個缺口,而SDRAM內存條是168個引腳,并且有兩個缺口。


                                    根據DDR內存條的工作頻率,它又分為DDR200、DDR266、DDR333、DDR400等多種類型:與SDRAM一樣,DDR也是與系統總線頻率 同步的,不過因為雙倍數據傳輸,因此工作在133MHz頻率下的DDR相當于266MHz的SDRAM,于是便用DDR266來表示。

                                    小提示:工作頻率表示內存所能穩定運行的最大頻率,例如PC133標準的SDRAM的工作頻率為133MHz,而DDR266 DDR的工作頻率為266MHz。對于內存而言,頻率越高,其帶寬越大。

                                    除了用工作頻率來標示DDR內存條之外,有時也用帶寬值來標示,例如DDR 266的內存帶寬為2100MB/s,所以又用PC2100來標示它,于是DDR333就是PC2700,DDR400就是PC3200了。

                                    小提示:內存帶寬也叫“數據傳輸率”,是指單位時間內通過內存的數據量,通常以GB/s表示。我們用一個簡短的公式來說明內存帶寬的計算方法:內存帶寬=工作頻率×位寬/8×n(時鐘脈沖上下沿傳輸系數,DDR的系數為2)。

                                    由于DDR內存條價格低廉,性能出色,因此成為今日主流的內存產品。

                                    過時的貴族—RDRAM

                                    RDRAM(存儲器總線式動態隨機存儲器)是Rambus公司開發的一種新型DRAM。RDRAM雖然位寬比SDRAM及DDR的64bit窄,但其時鐘頻率要高得多。
                                    從外觀上來看,RDRAM內存條與SDRAM、DDR SDRAM內存條有點相似。

                                    從技術上來看,RDRAM是一種比較先進的內存,但由于價格高,在市場上普及不是很實際。如今的RDRAM已經退出了普通臺式機市場。

                                    3.內存的封裝

                                    目前內存的封裝方式主要有TSOP、BGA、CSP等三種,封裝方式也影響著內存條的性能優劣。

                                    TSOP封裝:TOSP(Thin Small Outline Package,薄型小尺寸封裝)的一個典型特點就是在封裝芯片的周圍做出很多引腳。TSOP封裝操作方便,可靠性比較高,是目前的主流封裝方式。


                                    BGA封裝:BGA叫做“球柵陣列封裝”,其最大的特點就是芯片的引腳數目增多了,組裝成品率提高了。采用BGA封裝可以使內存在體積不變的情況下將內存容量提高兩到三倍,與TSOP相比,它具有更小的體積、更好的散熱性能和電性能。


                                    CSP封裝:CSP(Chip Scale Package,芯片級封裝)作為新一代封裝方式,其性能又有了很大的提高。CSP封裝不但體積小,同時也更薄,更能提高內存芯片長時間運行的可靠性,芯片速度也隨之得到大幅度的提高。目前該封裝方式主要用于高頻DDR內存。


                                    二、內存強檔

                                    要進一步了解內存,以下的內容一定不能錯過。其中內存的時鐘周期、存取時間和CAS延遲時間是衡量內存性能比較直接的重要參數,它們都可以在主板BIOS中設置,這個問題將在以后介紹BIOS的時候詳細闡述。

                                    1.時鐘周期(TCK)

                                    TCK 是“Clock Cycle Time”的縮寫,即內存時鐘周期。它代表了內存可以運行的最大工作頻率,數字越小說明內存所能運行的頻率就越高。時鐘周期與內存的工作頻率是成倒數的, 即TCK=1/F。比如一塊標有“-10”字樣的內存芯片,“-10”表示它的運行時鐘周期為10ns,即可以在100MHz的頻率下正常工作。

                                    2.存取時間(TAC)

                                    TAC(Access Time From CLK)表示“存取時間”。與時鐘周期不同,TAC僅僅代表訪問數據所需要的時間。如一塊標有“-7J”字樣的內存芯片說明該內存條的存取時間是7ns。 存取時間越短,則該內存條的性能越好,比如說兩根內存條都工作在133MHz下,其中一根的存取時間為6ns,另外一根是7ns,則前者的速度要好于后 者。

                                    3.CAS延遲時間(CL)

                                    CL(CAS Latency)是內存性能的一個重要指標,它是內存縱向地址脈沖的反應時間。當電腦需要向內存讀取數據時,在實際讀取之前一般都有一個“緩沖期”,而 “緩沖期”的時間長度,就是這個CL了。內存的CL值越低越好,因此,縮短CAS的周期有助于加快內存在同一頻率下的工作速度。

                                    4.奇偶校驗(ECC)

                                    內存是一種數據中轉“倉庫”,而在頻繁的中轉過程中,一旦搞錯了數據怎么辦?而ECC就是一種數據檢驗機制。ECC不僅能夠判斷數據的正確性,還能糾正大多數錯誤。普通PC中一般不用這種內存,它們一般應用在高端的服務器電腦中。

                                    目前市場上主流的內存有SDRAM和DDR SDRAM,內存條品牌主要有金士頓、三星、宇瞻、富豪、現代等等。


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